회사/산업 · 삼성전자 / 공정기술
Conductor Etch에서 ICP type, dielectric Etch에서 CCP type을 활용하는 이유가 무엇일까요?
2025.10.06
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반도체쪽 석사과정 중인데 공설보다는 공기가 확실히 취업문이 낮고 유리할까요? 공정기술 석사로 지원하면 학사와 부서 배치받을 때 차이가 있는지도 궁금합니다. 마지막으로 학사 대비 석사의 어떤 강점을 어필하면 좋을지 궁금합니다
학점 때문에 사기업과 공기업 중 고민입니다. 저는 지방사립대에서 지거국으로 편입하여 현재 4학년 재학중이고, 전적대평점 3.7/4.5(1학년4.3, 2학년2점대), 현학교평점 3.34/4.5입니다(다른 스펙 전무). 5학년이라도 해서 C를 없애고 어떻게든 대학원 진학을 해야 할지, 아님 회생불가한 학점이니 사기업 욕심을 버리고 빨리 공기업 준비를 해야 할 지 모르겠습니다(취업시장 안좋은 현재 상황이라면 더더욱). 반도체는 공정이나 양산기술 같은 분야로 가고 싶어 반도체 과목을 많이 들었지만 성적이 B0~C+정도로 좋지 못한 상황입니다. 주제넘지만 높은 연봉에 대한 미련때문에 5학년을 해서 학점을 조금이라도 더 올리고 대학원에 진학해서 제 능력을 더 키워서 대기업에 들어가고 싶긴 하지만 현실적으로 정말 힘든일인거 같기도 하고 일단 학점이 제 발목을 너무 잡아서 서류부터 떨어질 거 같다는 생각이 들어 의욕과 자신감이 떨어집니다. 선배님들이라면 제 상황에 어떤 선택을 하셨을지 궁금합니다.
삼전 공기 희망 만약 오픽 성적은 좋고 토익 성적이 안좋다면 취업시 그래도 모두 기입 하는게 좋을까요? 아니면 오픽만 첨부할까요? 토익 성적이 굳이 안넣어도 - 될게 없을까요?
반도체쪽 석사과정 중인데 공설보다는 공기가 확실히 취업문이 낮고 유리할까요? 공정기술 석사로 지원하면 학사와 부서 배치받을 때 차이가 있는지도 궁금합니다. 마지막으로 학사 대비 석사의 어떤 강점을 어필하면 좋을지 궁금합니다
학점 때문에 사기업과 공기업 중 고민입니다. 저는 지방사립대에서 지거국으로 편입하여 현재 4학년 재학중이고, 전적대평점 3.7/4.5(1학년4.3, 2학년2점대), 현학교평점 3.34/4.5입니다(다른 스펙 전무). 5학년이라도 해서 C를 없애고 어떻게든 대학원 진학을 해야 할지, 아님 회생불가한 학점이니 사기업 욕심을 버리고 빨리 공기업 준비를 해야 할 지 모르겠습니다(취업시장 안좋은 현재 상황이라면 더더욱). 반도체는 공정이나 양산기술 같은 분야로 가고 싶어 반도체 과목을 많이 들었지만 성적이 B0~C+정도로 좋지 못한 상황입니다. 주제넘지만 높은 연봉에 대한 미련때문에 5학년을 해서 학점을 조금이라도 더 올리고 대학원에 진학해서 제 능력을 더 키워서 대기업에 들어가고 싶긴 하지만 현실적으로 정말 힘든일인거 같기도 하고 일단 학점이 제 발목을 너무 잡아서 서류부터 떨어질 거 같다는 생각이 들어 의욕과 자신감이 떨어집니다. 선배님들이라면 제 상황에 어떤 선택을 하셨을지 궁금합니다.
삼전 공기 희망 만약 오픽 성적은 좋고 토익 성적이 안좋다면 취업시 그래도 모두 기입 하는게 좋을까요? 아니면 오픽만 첨부할까요? 토익 성적이 굳이 안넣어도 - 될게 없을까요?
답변 6
지원자님, Etch 공정에서 Plasma 장비 타입을 다르게 사용하는 이유는 식각 대상 물질의 특성과 원하는 식각 성질 때문이에요~! Conductor Etch에서는 금속이나 폴리실리콘 같은 전도성 재료를 다루게 되는데, 이 경우 고이온밀도 플라즈마가 필요합니다. 그래서 ICP(Inductively Coupled Plasma) 타입을 활용하는데요, ICP는 고밀도의 이온을 안정적으로 공급해주면서도 전극에 인가되는 전력과는 독립적으로 플라즈마 밀도를 제어할 수 있어 높은 이방성과 빠른 식각 속도를 확보할 수 있답니다! 반면 Dielectric Etch는 절연막(SiO₂, SiN 등)을 다루게 되는데, 이 재료들은 플라즈마 화학 반응과 선택비가 중요해요. 여기서는 CCP(Capacitively Coupled Plasma) 타입이 많이 쓰입니다~ CCP는 상대적으로 낮은 플라즈마 밀도와 높은 에너지를 가진 이온을 제공하는 특성이 있어서, 절연막과 마스크 사이의 선택비를 유지하고 균일한 식각을 달성하는 데 유리해요! 즉, ICP는 빠르고 정밀한 전도체 식각에, CCP는 선택비와 균일성이 중요한 절연체 식각에 최적화된 장비라고 이해하시면 됩니다~ 도움이 되셨다면 채택 부탁드려요~ 응원합니다~!
멘티님, Conductor Etch에는 ICP 타입이 쓰이는 이유는 플라즈마 밀도가 높고 깊은 식각, 고정밀 가공이 가능해 미세한 도전체 패턴 구현에 적합하기 때문입니다. 반면 dielectric Etch에는 CCP 타입이 활용되는데, 이온 에너지가 충분히 높아 단단한 절연체(SiO2 등)를 효과적으로 깎을 수 있으며 균일도도 뛰어나 대면적 공정에 유리합니다. ICP와 CCP 방식은 플라즈마 생성 원리와 밀도, 에너지 제어 특성이 달라 Etch 대상별로 최적화된 선택이 이루어집니다. ICP(Inductive)는 높은 density, CCP(Capacitive)는 높은 uniformity와 이온 에너지가 특징입니다. 채택부탁드리며 파이팅입니다!
